Overlay控制越來越複雜,Overlay的容許誤差也隨著線寬的縮減以及與多重微影相關的光罩數量增加而變得越來越小;製程中多重微影技術大大增加了overlay的複雜性,除了實現層與層之間pattern對準的準確度之外,精確的層內pattern的對準也很重要。針對化合物前道工藝特點,推出適用於SiC/GaN/GaAs的套刻量測儀,通過制定寬光譜高光強光源和雙聚焦演算法,專門解決透光和厚膠引起的套刻問題。