蒸鍍機 Evaporation
詳細介紹
• 適合Indium Bump點陣工藝
• 適用於紅外、量子、顯示等行業晶片的科研及生產
T550I 型的銦熔點156.61℃,非常容易形成液態,我們用的圓筒狀雙層電阻蒸發坩堝,能夠使銦整體受熱均勻,平緩的整體達到揮發溫度,不容易形成液滴,適合銦柱點陣的生長。
雙層電阻蒸發可達60cc,這樣可以在整體加熱的情況下保證比較高的生長速率,適當條件下可以達到5nm/s,可以很快的生長比較厚 的銦膜,適合高品質銦膜工藝。
由於蒸銦過程中溫度越低,銦柱生長的越好;大功率電子束髮熱很嚴重,會導致爐內樣品部分溫升,影響銦膜品質;而用雙層電阻坩堝,對外界的輻射熱較少, 比較適合低溫工藝。